内容摘要：台积电副总经理张晓强日前透露，2nm制程工艺N2研发顺利，目前256Mb SRAM芯片良品率已经可以达到50%，研发目标已经完成80%以上，如果后续研发顺利将会能够按照之前预定的目标在2025年实现量

台积电副总经理张晓强日前透露，台积2nm制程工艺N2研发顺利，发顺目前256Mb SRAM芯片良品率已经可以达到50%，排除研发目标已经完成80%以上，日建如果后续研发顺利将会能够按照之前预定的厂报目标在2025年实现量产。

据了解，价直台积电2nm制程工艺将会放弃此前的逼万FinFET（鳍式场效应晶体管）转向GAA（环绕栅极晶体管），这将会使芯片在晶体管密度仅提升10-20%的美元同时，做到在相同功耗下速度提高10-15%或在相同速度下功耗降低25-30%。台积再被问及台积电是发顺否会在日本建设工厂生产先进芯片时，台积电业务发展高级副总表示“不排除这种可能”，排除但目前已有大量消息显示台积电已经在台湾竹科基地建立试产生产线，日建并积极筹划下一代芯片生产基地建设。厂报

此外，价直有业内人士称2nm制程工艺芯片的逼万报价将会直逼2.5万美元（折合人民币约18.1万元），不过对比其在技术上的进步而言价格并不算太过离谱，目前尽管整体半导体行业整体状态目前略显低迷，但台积电仍然保持强势的发展势头。如果台积电在2nm制程工艺的研发方面发展顺利，那么对于三星、英特尔等同行而言恐怕“弯道超车”的希望更加渺茫。